【特徴】
・研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
【仕様】
・OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25
・製造方法：CZ法
・面方位：100
・OF位置：110
・抵抗値：0.1～100Ω・cm
・パーティクル：0.3μm、10個以下
・サイズ（インチ）×伝導型：3×N型
・入数：1箱（25枚）
・特注対応品について
・①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
・②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
・③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
・④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください。
・※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン番号：2-960-54
・研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
【仕様】
・OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25
・製造方法：CZ法
・面方位：100
・OF位置：110
・抵抗値：0.1～100Ω・cm
・パーティクル：0.3μm、10個以下
・サイズ（インチ）×伝導型：3×N型
・入数：1箱（25枚）
・特注対応品について
・①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
・②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
・③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
・④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください。
・※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン番号：2-960-54