【仕様】
・タイプ：Nタイプ（Si-doped）
・比抵抗：＜0.05Ω・cm
・入数：1箱（2枚入）
・サイズ：Φ2インチ
・GaN厚さ：約4～6μm（サファイアウェハの表面側）
・サファイアウェハ厚さ：430±25μm
・結晶方位：C-plane（0001）±25μm
・表面（GaN）：ポリッシュ仕上げ
・裏面（サファイア面）：Fine ground仕上げ
・入数：1箱（2枚入）
アズワン番号：4-1359-02
・タイプ：Nタイプ（Si-doped）
・比抵抗：＜0.05Ω・cm
・入数：1箱（2枚入）
・サイズ：Φ2インチ
・GaN厚さ：約4～6μm（サファイアウェハの表面側）
・サファイアウェハ厚さ：430±25μm
・結晶方位：C-plane（0001）±25μm
・表面（GaN）：ポリッシュ仕上げ
・裏面（サファイア面）：Fine ground仕上げ
・入数：1箱（2枚入）
アズワン番号：4-1359-02