| 製品名 |
| マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置（GD-OES） GD-Profiler2 概算価格：￥43,000,000～ |
【商品概要】
rf-GD-OES（GDS）分析装置は、Arプラズマにより試料をスパッタリングさせ、スパッタされた原子を原子発光させることで
元素分析を行う、迅速かつ簡単な表面分析装置・深さ方向元素分析装置として、薄膜・めっき・熱処理・表面処理・
コーティングなどの研究開発・生産技術・品質管理の分野において、幅広く活用されています。
高周波方式グロー放電を採用しているため、非導電性試料でも表面分析が可能です。
「迅速に表面分析がしたい」
「多くの試料・検体数の表面分析／深さ方向分析がしたい」
「定量的な表面分析がしたい」
といった、表面分析／深さ方向分析のお悩み・お困りにお応えすることができます。
【特徴】
・迅速分析により、多検体の分析や成膜プロセスの管理に最適・パルススパッタリングなど新スパッタ法を用いることで、有機系試料の測定が可能
・High Dynamic Detection機能により、半定量分析も可能
全固体電池 固定電解質の深さ方向分析
GD-OESでは、迅速に深さ方向の水素（H）～ウラン（U）を測定できます。
固体電解質の分析において、従来の分析手法ではスパッタリングダメージに伴い、リチウムなどの軽くイオン化しやすい
元素は、測定中に試料内での移動が生じていましたが、HORIBA社考案の手法により安定したリチウムの深さ方向元素分析
が可能になりました。
迅速に深さ方向元素分析が可能な表面分析装置として、めっき、熱処理、表面処理、コーティングなどの研究開発や成膜
評価において活用されています。
トランスファーベッセル
グローブボックスから装置までの雰囲気を制御し、大気非暴露分析が可能です。
【仕様】
発光部
| ランプ型式 | マーカス型 |
| 試料印加方式 | 13.56MHz高周波 |
| 高周波出力 | 0-300W（可変） |
| パルス制御 | 周波数：1～100Hz（可変） Duty：5～50%（可変） |
| ガス圧力 | 0～1000Pa（可変） |
| アノード径 | 標準：4mm オプション：1mm、2mm、7mm |
| クリーニング機構 | モータ制御式自動クリーナ |
検出
| 検出器 | 光電子増倍管 |
| 分析線 | メイン分光器：標準20本＋追加25本（オプション） サブ分光器：1本 |
| 分析元素 | H～Uまで ※メイン分光器に導入する元素は、別途打ち合わせ |
| データ取込間隔 | 最高0.001sec～ |
| シンクロ測光 | パルススパッタ適応時のみ（オプション） |
分光部
| ポリクロメータ（メイン分光器） （標準装備） |
モノクロメータ（サブ分光器） （標準装備） |
フラットフィールド・ポリクロメータ （オプション） |
|
| マウント型式 | パッシェンルンゲ | ツェルニターナ | ポリクロメータ内組込み型 |
| 焦点距離 | 500mm | 640mm | － |
| 回折格子 | ブレーズドホログラフィック凹面グレーティング 刻線密度：2400本/mm |
ブレーズドホログラフィック平面グレーティング 刻線密度： ・2400本/mm ・3600本/mm |
ホログラフィックグレーティング 刻線密度：1200本/mm |
| 波長範囲 | 110～620nm | 165～780nm または165～500nm |
400～900nm |
| 実質分解能 | － | 0.013～0.018nm | － |
ユーティリティ
| 本体装置質量 | 550kg |
| 本体外形寸法 | W860×D1521×H1200mm |
| 電源 | 本体用：単相AC 200V 30A 制御PC用：単相AC 100V 10A |
| 周波数 | 50/60Hz |
| ガス | ・スパッタ用ガス：Ar （純度： 99.9999%以上、圧力： 0.4MPa） ・シリンダ駆動用ガス：N2もしくはエア （純度： 問わず、圧力： 0.7MPa） ・パージ用ガス：N2 （純度： 99.999%以上（O2＜3ppm）、圧力： 0.2MPa） |
| 設置環境 | 温度：22～24±2℃ 湿度：60%以下 |